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G5N150UF中文资料

厂家型号

G5N150UF

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6

功能描述

General Description

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

G5N150UF数据手册规格书PDF详情

General Description

Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses.

SGS5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.

Features

• High Speed Switching

• Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A

• High Input Impedance

Application

Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter

更新时间:2025-12-2 19:13:00
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