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FQP6N80C中文资料

厂家型号

FQP6N80C

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10

功能描述

N-Channel QFET짰 MOSFET 800 V, 5.5 A, 2.5 廓

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

FQP6N80C数据手册规格书PDF详情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

• 5.5 A, 800 V, RDS(on) = 2.5 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 2.75 A

• Low Gate Charge (Typ. 21 nC)

• Low Crss (Typ. 8 pF)

• 100 Avalanche Tested

FQP6N80C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQP6N80C

  • 功能描述

    MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-29 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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FQP6N80C 价格

参考价格:¥3.0623

型号:FQP6N80C 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FQP6N80C多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FQP6N80C批发/采购报价,FQP6N80C行情走势销售排排榜,FQP6N80C报价。