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芯片资料

精确

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Features

• 5.5A, 500V, RDS(on) = 1.3Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 17 nC)

• Low Crss ( typical 11 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

FQI6N60供应商...

更新时间：2025-11-30 16:30:00

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