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FQD10N20CTM中文资料

厂家型号

FQD10N20CTM

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1283.35Kbytes

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9

功能描述

N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm

MOSFET N-CH/200V/10A/QFET

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

FQD10N20CTM数据手册规格书PDF详情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,

planar stripe, DMOS technology.

Features

• 7.8 A,200 V, RDS(on) = 360 mΩ (Max.)@ VGS = 10 V, ID= 3.9 A

• Low Gate Charge (Typ. 20 nC)

• Low Crss (Typ. 40.5pF)

• 100 Avalanche Tested

FQD10N20CTM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQD10N20CTM

  • 功能描述

    MOSFET N-CH/200V/10A/QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-11 15:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
2025+
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FQD10N20CTM 价格

参考价格:¥1.3797

型号:FQD10N20CTM 品牌:Fairchild 备注:这里有FQD10N20CTM多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FQD10N20CTM批发/采购报价,FQD10N20CTM行情走势销售排排榜,FQD10N20CTM报价。

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