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Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

Features

• 4.74A, 700V, RDS(on) = 1.5 Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 30 nC)

• Low Crss ( typical 15 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

FQAF6N70供应商...

更新时间：2025-10-10 14:02:00

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