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FGP7N60RUFDTU中文资料

厂家型号

FGP7N60RUFDTU

文件大小

1708.2Kbytes

页面数量

9

功能描述

600V, 7A RUF IGBT CO-PAK

IGBT 晶体管 600V 7A RUF IGBT CO-PAK

数据手册

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简称

FAIRCHILD仙童半导体

生产厂商

Fairchild Semiconductor

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

FGP7N60RUFDTU数据手册规格书PDF详情

Description

Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses.The device is designed for Motor applications where ruggedness is a required feature.

Features

• High speed switching

• Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.95 V @ IC = 7A

• High input impedance

• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50 ns (typ.)

• Short Circuit rated, 10us @ TC=100°C, VGE=15V, VCE=300V

Applications

Motor controls and general purpose inverters.

FGP7N60RUFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGP7N60RUFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 7A RUF IGBT CO-PAK

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-6 9:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
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