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FGP30N6S2D中文资料

厂家型号

FGP30N6S2D

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281.66Kbytes

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12

功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

FGP30N6S2D数据手册规格书PDF详情

General Description

The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.

Features

• 100kHz Operation at 390V, 14A

• 200kHZ Operation at 390V, 9A

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°C

• Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V

• Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical

• UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ

• Low Conduction Loss

FGP30N6S2D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGP30N6S2D

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 15:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
23+
TO-220
56932
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
FAIRCHILD
05+
原厂原装
5326
只做全新原装真实现货供应
Fairchild/ON
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
FAIRCHILD
TO220
9500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
FAIRCHILD
24+
TO220
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只做原装公司现货
FAIRCHILD
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FAIRCHILD/仙童
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