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FGB30N6S2D中文资料

厂家型号

FGB30N6S2D

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281.66Kbytes

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12

功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

IGBT 晶体管 Dl 600V Size 3 N-Ch

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

FGB30N6S2D数据手册规格书PDF详情

General Description

The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.

Features

• 100kHz Operation at 390V, 14A

• 200kHZ Operation at 390V, 9A

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°C

• Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V

• Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical

• UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ

• Low Conduction Loss

FGB30N6S2D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGB30N6S2D

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Dl 600V Size 3 N-Ch

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
23+
S0T-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
FAIRCHILD
23+
TO-263
53818
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
FAIRCHILD
03+
S0T-263
134
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
Fairchild(飞兆/仙童)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
FAIRCHILD
25+23+
TO263
24055
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
FAIRCHILD
2023+
TO263
3000
进口原装现货
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
7500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
Fairchild/ON
22+
TO263AB
9000
原厂渠道,现货配单
FAIRCHILD/仙童
23+
SOT-263
50000
全新原装正品现货,支持订货