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FDN358P中文资料

厂家型号

FDN358P

文件大小

85.26Kbytes

页面数量

4

功能描述

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

数据手册

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简称

FAIRCHILD仙童半导体

生产厂商

Fairchild Semiconductor

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

FDN358P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDN358P

  • 功能描述

    MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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FDN358P 价格

参考价格:¥0.5845

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