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FDD8426H中文资料

厂家型号

FDD8426H

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469.27Kbytes

页面数量

11

功能描述

Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET N-Channel: 40 V, 12 A, 12 m廓 P-Channel: -40 V, -10 A, 17 m廓

MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench

数据手册

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生产厂商

Fairchild Semiconductor

简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

LOGO

FDD8426H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD8426H

  • 功能描述

    MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-15 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
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原厂原装,欢迎咨询

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Fairchild Semiconductor 飞兆/仙童半导体公司

中文资料: 41475条

1955年,“晶体管之父”威廉·肖克利(WilliamBradfordShockley)离开比尔实验室,创建肖克利半导体实验室(ShockleySemiconductorLaboratory)。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快,肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职,他们是罗伯特·诺伊斯(RobertNoyce)、高登·摩尔(GordonMoore)、朱利亚斯·布兰克(JuliusBlank)、尤金·克莱尔(EugeneKleiner)、金·赫尔尼(JeanHoerni)、杰·拉斯特(JayLast)、谢尔顿·罗伯茨(SheldonRobe