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FDB2614中文资料

厂家型号

FDB2614

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8

功能描述

200V N-Channel PowerTrench MOSFET

MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

FDB2614数据手册规格书PDF详情

General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Description

• 62A, 200V, RDS(on) = 22.9mΩ @VGS = 10 V

• Fast switching speed

• Low gate charge

• High performance trench technology for extremely low RDS(on)

• High power and current handling capability

Application

• PDP application

FDB2614产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB2614

  • 功能描述

    MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-28 13:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
D2PAK-3TO-263-2
3580
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FDB2614 价格

参考价格:¥12.2752

型号:FDB2614 品牌:Fairchild 备注:这里有FDB2614多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDB2614批发/采购报价,FDB2614行情走势销售排排榜,FDB2614报价。