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BD434中文资料

厂家型号

BD434

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48.47Kbytes

页面数量

5

功能描述

Medium Power Linear and Switching Applications

两极晶体管 - BJT PNP Medium Power

数据手册

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生产厂商

Fairchild Semiconductor

简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

LOGO

BD434产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD434

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Medium Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-4-28 16:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
19+
TO-126
12090
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
onsemi(安森美)
23+
TO-126
2317
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ST
15+
TO126
12000
现货-ROHO
ST
22+
TO-126
3600
绝对原装!现货热卖!
ALJ
2020+
TO-126
75510
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
SMG
05+
原厂原装
1249
只做全新原装真实现货供应
ST
14+
300000
GF10-10
NSC
121
TRANSIST
16+
原厂封装
5500
原装现货假一罚十

BD434S 价格

参考价格:¥1.2443

型号:BD434S 品牌:Fairchild 备注:这里有BD434多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BD434批发/采购报价,BD434行情走势销售排排榜,BD434报价。

BD434 晶体管资料

  • BD434(A-C)(-10...-25)别名:BD434(A-C)(-10...-25)三极管、BD434(A-C)(-10...-25)晶体管、BD434(A-C)(-10...-25)晶体三极管

  • BD434(A-C)(-10...-25)生产厂家:德国AEG公司_德国椤茨标准电器公司_美国摩托罗拉半

  • BD434(A-C)(-10...-25)制作材料:Si-PNP

  • BD434(A-C)(-10...-25)性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD434(A-C)(-10...-25)封装形式:直插封装

  • BD434(A-C)(-10...-25)极限工作电压:22V

  • BD434(A-C)(-10...-25)最大电流允许值:4A

  • BD434(A-C)(-10...-25)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD434(A-C)(-10...-25)引脚数:3

  • BD434(A-C)(-10...-25)最大耗散功率:36W

  • BD434(A-C)(-10...-25)放大倍数

  • BD434(A-C)(-10...-25)图片代号:B-21

  • BD434(A-C)(-10...-25)vtest:22

  • BD434(A-C)(-10...-25)htest:100000100

  • BD434(A-C)(-10...-25)atest:4

  • BD434(A-C)(-10...-25)wtest:36

  • BD434(A-C)(-10...-25)代换 BD434(A-C)(-10...-25)用什么型号代替:BD186,BD196,CD50A,

Fairchild相关电路图

  • FAIR-RITE
  • FANGTEK
  • FANSO
  • Faraday
  • FCI
  • FCI-CONNECTOR
  • FEELING
  • FENGJUI
  • FERROXCUBE
  • FERYSTER
  • FESTO
  • FETEK

Fairchild Semiconductor 飞兆/仙童半导体公司

中文资料: 41473条

1955年,“晶体管之父”威廉·肖克利(WilliamBradfordShockley)离开比尔实验室,创建肖克利半导体实验室(ShockleySemiconductorLaboratory)。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快,肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职,他们是罗伯特·诺伊斯(RobertNoyce)、高登·摩尔(GordonMoore)、朱利亚斯·布兰克(JuliusBlank)、尤金·克莱尔(EugeneKleiner)、金·赫尔尼(JeanHoerni)、杰·拉斯特(JayLast)、谢尔顿·罗伯茨(SheldonRobe