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2N5401TA中文资料

2N5401TA
厂家型号

2N5401TA
文件大小

44.33Kbytes
页面数量

4页
功能描述

PNP Epitaxial Silicon Transistor

两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

相近规格书

2N5401TA数据手册规格书PDF详情

Amplifier Transistor

• Collector-Emitter Voltage: VCEO= 150V

• Collector Dissipation: PC (max)=625mW

• Suffix “-C” means Conter Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

2N5401TA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5401TA

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N5401TA供应商...

更新时间：2025-10-17 15:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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