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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FZ800R33KL2C_B5 | IGBT-modules 文件：275.37 Kbytes Page：8 Pages | eupec |   |
FZ800R33KL2C_B5产品属性
- 类型
描述
- 型号
FZ800R33KL2C_B5
- 功能描述
IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1.5KA
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-11-3 17:31:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
NA |
1200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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Infineon |
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Infineon/英飞凌 |
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INFINEON |
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Infineon/英飞凌 |
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INFINEON |
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