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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FZ1200R17HP4_B2 | IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 文件：492.74 Kbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
FZ1200R17HP4_B2产品属性
- 类型
描述
- 型号
FZ1200R17HP4_B2
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2024-4-23 19:00:00
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2020-2-26G20N50C公司原装现货/随时可以发货
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2019-4-16
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