FZ1200R12KE3中文资料

功能描述:IGBT 晶体管 1200V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 封装/箱体:TO-247 封装:Tube
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FZ1200R12KE3

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更新时间:2021-5-11 22:25:00
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