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PNPPOWERDARLINGTONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheFW26025A1isasiliconEpitaxial-BasePNPpowertransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase.Itisintededforgeneralpurposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. •INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE APPLICATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@IC=-2A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-100V(Min) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation. APPLICATIONS •Designedforlinearandswitchingindustrialequipme

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-6 20:11:01
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