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MOSFETDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODE

DESCRIPTION TheAM0904isavailableinDFN8(5x6)package. FEATURES Channel1 30V/48A, R DS(ON)=7m7mΩ(max.)@VGS=10V R DS(ON)=10m10mΩ(max.)@VGS=4.5V Channel2 30V/50A, R DS(ON)=4m4mΩ(max.)@VGS=10V R DS(ON)=5.9m5.9mΩ(max.)@VGS=4.5V 100UIS+R

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI

DIPSWITCHASSEMBLYADP/PASERIES

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MACOM

Tyco Electronics

MACOM

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

LowOn-resistance,SimpleDriveRequirement

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A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER

LowOn-resistance,SimpleDriveRequirement,FastSwitchingCharacteristic

文件:63.11 Kbytes Page:4 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER
更新时间:2024-6-6 13:38:01
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    2020-5-25
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

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