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FT04N15E

丝印代码:T04N15;Plastic-Encapsulate MOSFETS

GENERAL DESCRIPTION This use advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. can be used in a wide variety of applications. FEATURE High density cell design for ultra low RDS(ON) Fully characterized avalanche voltage and current Excellent packag

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丝印代码:04N15;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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更新时间:2026-7-22 22:58:00
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