位置：首页 > IC中文资料第8502页 > FSL430D1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FSL430D1 | 2A,500V,2.50Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 |  |   |
3A,500V,2.70Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | | |
RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopeda seriesofRadiationHardenedMOSFETsspecifically designedforcommercialandmilitaryspaceapplications. EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects (SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,is combinedwith | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | |
FSL430D1产品属性
- 类型
描述
- 型号
FSL430D1
- 制造商
INTERSIL
- 制造商全称
Intersil Corporation
- 功能描述
2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEYEBCE |
DIP |
9 |
|||||
IR |
1801+ |
TO262 |
5960 |
原装正品-现货-绝对有货-实单价可谈 |
|||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
DIP-7.直插 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
7-PDIP |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
|||
IR |
22+ |
TO262 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
onsemi(安森美) |
21+ |
- |
27500 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方 |
|||
ON Semiconductor |
2021+ |
SOIC |
57500 |
科研单位合格供应商!现货库存 |
|||
onsemi |
21+ |
7-PDIP |
6000 |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
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2019-4-2
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