位置：首页 > IC中文资料第6244页 > FSL23A0R3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FSL23A0R3 | 6A,200V,0.350Ohm,RadiationHardened,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 |  |   |
9A,200V,0.330Ohm,RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | | |
RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | |
FSL23A0R3产品属性
- 类型
描述
- 型号
FSL23A0R3
- 制造商
INTERSIL
- 制造商全称
Intersil Corporation
- 功能描述
6A, 200V, 0.350 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairich |
2020+ |
SOP7 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
IR |
23+ |
TO-263 |
2000 |
专业优势供应 |
|||
Fairchild |
1930+ |
N/A |
8998 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
Fairchild |
22+ |
NA |
8998 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
TOKO |
23+ |
SMD |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
ONSemiconductor |
23+ |
7-LSOP |
66800 |
优势价格原装正品 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
SOP-7 |
28000 |
原装正品 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOP-8 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2048+ |
SMD7 |
6541 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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2019-4-2
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