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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FSL234D3 | 4A, 250V, 0.610 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particul | Intersil |   | |
6A, 250V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particul | Intersil | |
FSL234D3产品属性
- 类型
描述
- 型号
FSL234D3
- 制造商
INTERSIL
- 制造商全称
Intersil Corporation
- 功能描述
4A, 250V, 0.610 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
23+ |
SOP-7 |
12800 |
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ONSemiconductor |
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TOKO |
24+ |
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TOKO |
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INFINEON |
23+ |
7000 |
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onsemi(安森美) |
2021+ |
LSOP-8 |
499 |
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仙童 |
17+ |
NA |
6200 |
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ON Sem |
25+ |
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Freescale(飞思卡尔) |
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2019-4-2
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