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FSBS8CH60T价格

参考价格:¥78.5862

型号:FSBS8CH60T 品牌:Fairchild 备注:这里有FSBS8CH60T多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FSBS8CH60T批发/采购报价,FSBS8CH60T行情走势销售排行榜,FSBS8CH60T报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

SLLIMM- 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

Features • IPM 12 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge including 2 control ICs for gate driving and freewheeling diodes • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis • Internal bootstrap diode • Undervoltage lockout of gate drivers • Smart shutdown function • Short-circuit protection • Shu

STMICROELECTRONICS

意法半导体

SLLIMM - 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

Features • IPM 12 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge including 2 control ICs for gate driving and freewheeling diodes • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis • Internal bootstrap diode • Undervoltage lockout of gate drivers • Smart shutdown function • Short-circuit protection • Shu

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SLLIMM - 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT

Features • IPM 12 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including 2 control ICs for gate driving and freewheeling diodes • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis • Internal bootstrap diode • Undervoltage lockout of gate drivers • Smart shutdown function • Short-circuit protection • Sh

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SLLIMM - 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V, short‑circuit rugged IGBT

Features • IPM 12 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including 2 control ICs for gate driving and freewheeling diodes • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis • Internal bootstrap diode • Undervoltage lockout of gate drivers • Smart shutdown function • Short-circuit protection • Sh

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SLLIMM - 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT

Features • IPM 12 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including 2 control ICs for gate driving and freewheeling diodes • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis • Internal bootstrap diode • Undervoltage lockout of gate drivers • Smart shutdown function • Short-circuit protection • Sh

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FSBS8CH60T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FSBS8CH60T

  • 功能描述

    马达/运动/点火控制器和驱动器 600V,-8A 3 PHASE IGBT, SMART

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 产品

    Stepper Motor Controllers/Drivers

  • 类型

    2 Phase Stepper Motor Driver

  • 工作电源电压

    8 V to 45 V

  • 电源电流

    0.5 mA

  • 工作温度

    - 25 C to + 125 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    HTSSOP-28

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-14 22:59:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
25+
N/A
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ST(意法半导体)
24+
SDIP-26L-2B
919
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ST/意法半导体
25+
SDIP2F-26
20000
公司只有正品,实单可谈
ST/意法半导体
24+
SDIP2F-26
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
ST/意法半导体
25+
SDIP2F-26
12700
买原装认准中赛美
ST/意法
2450+
SDIP28
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
ST/意法半导体
23+
SDIP2F-26
12820
正规渠道,只有原装!
ST/意法半导体
24+
SDIP2F-26
16960
原装正品现货支持实单
ST/意法半导体
24+
SDIP2F-26
16900
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!
ST/意法半导体
21+
SDIP2F-26
8860
只做原装,质量保证

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  • FSD200-绿色模式飞兆半导体功率开关(FPSTM)

    说明 FSD200和FSD210的集成脉宽调制器(PWM)和场效应晶体管感特别设计的高性能离线开关电源(SMPS)最少的外部元件。这两款器件是单片电路高压开关稳压电源相结合一个有意识的LDMOS FET的电压模式的PWM控制块。集成PWM控制器的功能包括:与固定频率调制振荡器可降低电磁干扰,低电压锁定(UVLO)保护,前沿消隐(LEB),优化门turn-on/turnoff司机,热关机保护(TSD),温度补偿回路补偿精密电流源和故障保护电路。相较于离散MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案,FSD200和FSD210降低总元件计数,设计尺寸,重量,并在同一时间提高效

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  • FSCQ-绿色模式飞兆功率开关(FPS)

    说明 一般来说,准谐振转换器(的QRC)显示低EMI和高功率转换效率相比,传统的硬开关转换器,固定开关频率。因此,是非常适合的QRC noisesensitive 如彩色电视和音频应用。每个在FSCQ系列产品包含一个集成的脉冲宽度调制(PWM)控制器和一个值SenseFET,以及是专门设计用于准谐振离线开关模式电源(SMPS)的最少的外部组件。 PWM控制器包括一个集成的固定高频振荡器,欠压锁定,前沿消隐(LEB),优化栅极驱动器,内部软启动,温度补偿的精密电流源回路补偿和自我保护电路。相较于一分立MOSFET和PWM控制器解决方案,FSCQSeries可以降低总成本,元件

    2013-3-11
  • FSCM0565R-绿色模式飞兆功率开关(FPS)

    说明 该FSCM0565R是集成脉宽调制器 PWM)和场效应管专门设计感高 性能离线开关电源(SMPS)最少的外部元件。此设备是一集成的高电压开关稳压器的功率 结合当前的雪崩崎岖意识场效​​应管 模式的PWM控制块。 PWM控制器包含 集成的固定频率振荡器,欠压锁定,前沿消隐(LEB),优化栅极驱动器,内部 软起动器,温度补偿精密电流源一回路补偿和自我保护电路。相对于分立的MOSFET和PWM控制器解决方案,它可以降低总成本,元件数量,规模和重量同时提高效率,生产力和系统的可靠性。这个装置是一个基本的平台,非常适合回扫转换器的成本效益的设计。

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  • FSBM10SH60-SPM的(智能功率模块)

    一般描述 FSBM10SH60是一种先进的智能功率模块(SPM)飞兆半导体新开发的,旨在提供非常紧凑和高性能AC电机驱动器主要针对高速低功率逆变器驱动的应用程序像洗衣机。它结合了优化的电路保护和驱动器匹配低损耗IGBT的。高度有效的短路电流检测/保护实现通过使用先进的IGBT的电流检测芯片,允许对IGBT的连续监测电流。系统的可靠性进一步增强,集成欠压锁定了保障。高高速内置HVIC提供光耦合器无IGBT栅极驱动能力,进一步降低了整体规模逆变器系统设计。此外,成立高压集成电路促进了单电源驱动拓扑利用有利要赶在FSBM10SH60只由一个驱动电源无负偏置电压。逆变器电流检测应用程序

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