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FSBB20CH60C价格
参考价格：￥104.8596
型号：FSBB20CH60C 品牌：Fairchild 备注：这里有FSBB20CH60C多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FSBB20CH60C批发/采购报价，FSBB20CH60C行情走势销售排行榜，FSBB20CH60C报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FSBB20CH60C | SmartPowerModule 文件：470.06 Kbytes Page：17 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
FSBB20CH60C | SmartPowerModule 文件：698.87 Kbytes Page：17 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
FSBB20CH60C | MotionSPM짰3Series 文件：662.82 Kbytes Page：16 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
FSBB20CH60C | 封装/外壳：27-PowerDIP 模块（1.205"，30.60mm） 包装：托盘 描述：MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP 分立半导体产品 功率驱动器模块 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
MotionSPM짰3Series 文件：588.91 Kbytes Page：14 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
SmartPowerModule 文件：544.51 Kbytes Page：16 Pages | Etron 钰创 |  | | |
SmartPowerModule 文件：544.51 Kbytes Page：16 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
SmartPowerModule 文件：698.87 Kbytes Page：17 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
SmartPowerModule 文件：414.43 Kbytes Page：17 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
MotionSPM3Series 文件：586.39 Kbytes Page：16 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
封装/外壳：27-PowerDIP 模块（1.205"，30.60mm） 包装：托盘 描述：MODULE SPM 600V 20A SPMCC 分立半导体产品 功率驱动器模块 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
SmartPowerModule 文件：414.43 Kbytes Page：17 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
FSBB20CH60C产品属性
- 类型
描述
- 型号
FSBB20CH60C
- 功能描述
IGBT 模块 600V 20A SPM
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2021+ |
原厂原封装 |
93628 |
原装进口现货 假一罚百 |
|||
ON |
21+ |
module |
10680 |
只有原装 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SPM27 |
115 |
原装现货 |
|||
ON |
21+ |
SPM-27 |
15000 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
ON/安森美 |
2020+ |
原厂原装正品 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SPM27 |
20000 |
热卖优势现货 |
|||
NA |
23+ |
NA |
99999999 |
原装正品现货/订货,价格优惠可开票 |
|||
ON |
21+ |
SPM27 |
5250 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SPM27 |
8608 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SPM27 |
12876 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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FSBB20CH60C规格书下载地址
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FSBB20CH60C数据表相关新闻
FSBS5CH60A FAIRCHILD
www.hfxcom.com
2021-12-13FSAM30SH60A
本公司专营各种名牌IC：单片机IC，储存器IC，家电IC，汽车IC，通讯IC，各大世界名牌厂家IC等各种电子元器件封装：贴片（SOP），直插（DIP），四面(QFP)，三极管，二极管，模块，PLCC本店支持配单所有:电源IC，电阻电容电感，开关，USB，插口，二三极管，光藕系列，IC电子元件等等
2019-10-18FSCM0565R-绿色模式飞兆功率开关（FPS）
说明该FSCM0565R是集成脉宽调制器PWM）和场效应管专门设计感高性能离线开关电源（SMPS）最少的外部元件。此设备是一集成的高电压开关稳压器的功率结合当前的雪崩崎岖意识场效应管模式的PWM控制块。PWM控制器包含集成的固定频率振荡器，欠压锁定，前沿消隐（LEB），优化栅极驱动器，内部软起动器，温度补偿精密电流源一回路补偿和自我保护电路。相对于分立的MOSFET和PWM控制器解决方案，它可以降低总成本，元件数量，规模和重量同时提高效率，生产力和系统的可靠性。这个装置是一个基本的平台，非常适合回扫转换器的成本效益的设计。
2013-3-11FSBM10SH60-SPM的（智能功率模块）
一般描述FSBM10SH60是一种先进的智能功率模块（SPM）飞兆半导体新开发的，旨在提供非常紧凑和高性能AC电机驱动器主要针对高速低功率逆变器驱动的应用程序像洗衣机。它结合了优化的电路保护和驱动器匹配低损耗IGBT的。高度有效的短路电流检测/保护实现通过使用先进的IGBT的电流检测芯片，允许对IGBT的连续监测电流。系统的可靠性进一步增强，集成欠压锁定了保障。高高速内置HVIC提供光耦合器无IGBT栅极驱动能力，进一步降低了整体规模逆变器系统设计。此外，成立高压集成电路促进了单电源驱动拓扑利用有利要赶在FSBM10SH60只由一个驱动电源无负偏置电压。逆变器电流检测应用程序
2013-2-15FSB50250-智能功率模块
特点•500伏值2.0A3相FRFET包括高压变频器集成电路（高压集成电路）•3负划分为逆变器直流母线电流检测端子应用•为栅极驱动的HVIC和欠压保护•3/5V的CMOS/TTL兼容，高电平接口•针对低电磁干扰•1500Vrms的额定隔离电压为1分钟。一般描述FSB50250是一个很小的智能功率模块（SPMTM）的基础上FRFET技术作为紧凑型逆变器解决方案，为小型功率电机，如风扇电机和驱动应
2013-2-15FSAM10SH60-智能功率模块
一般描述FSAM10SH60是一种先进的智能功率模块（SPM）飞兆半导体新开发的，旨在提供非常紧凑，成本低，但高性能交流电动机驱动器主要针对高速低功inverterdriven应用像洗衣机。它结合优化的电路保护和驱动器匹配低损耗IGBT的。高效的短路电流检测/保护是实现通过使用先进的电流感应IGBT芯片，允许连续监测IGBT的电流。系统的可靠性进一步增强，内置过热和集成欠压锁定了保障。高速的内置的HVIC，提供光耦合器无IGBT栅极驱动能力，进一步降低逆变器系统设计的总体尺寸。在此外，成立高压集成电路促进了单电源使用驱动器拓扑是使FSAM10SH60只有一个驱动电源电压驱动不
2013-2-15
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