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FSB50250价格

参考价格：￥40.4279

型号：FSB50250 品牌：Fairchild 备注：这里有FSB50250多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FSB50250批发/采购报价，FSB50250行情走势销售排行榜，FSB50250报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FSB50250

智能功率模块，500V，2A

FSB50250 是一款 Motion SPM® 5 系列，基于快速恢复 MOSFET (FRFET®) 技术，可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。由六个 FRFET MOSFET 和三个半桥门极驱动 HVIC 组成。FSB50250 提供低电磁干扰 (EMI) 特征，具有优化开关速度。此外，因为它采用 MOSFET 作为电源开关，所以与基于 IGBT 的电源模块相比，其坚固性更高，安全运行区域 (SOA) 也更大。该封装针对在空间有限应用中使用的热性能和紧凑型进行了优化。对于需要高能效、紧凑性和低电磁干扰的逆变器来说，FSB50250 是非常合适的方案。 •500V RDS(on)=4.2Ω （最大值）三相FRFET逆变器，包括高电压集成电路(HVIC)\n•三个独立负直流链路端子，可实现逆变器电流感测应用\n•HVIC可实现栅极驱动和欠压保护\n•高电平有效接口，可用于 3.3V/5V 逻辑电平\n•针对低电磁干扰进行优化\n•1500Vrms/1min 的额定隔离电压。;

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250

封装/外壳：23-PowerDIP 模块（0.551"，14.00mm） 包装：管件 描述：IC SMART POWER MOD 2A SPM23-AA 分立半导体产品 功率驱动器模块

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250

Smart Power Module (SPM)

文件：340.73 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250

Smart Power Module (SPM짰)

文件：317.03 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250S

丝印代码：FSB50250S；Smart Power Module (SPM®)

Features • 500V 1.0A 3-phase FRFET inverter including high voltage integrated circuit (HVIC) • 3 divided negative dc-link terminals for inverter current sensing applications • HVIC for gate driving and undervoltage protection • 3/5V CMOS/TTL compatible, active-high interface • Optimized for l

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250A

丝印代码：FSB50250A；Motion SPM 5 Series

文件：765.3 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250A

丝印代码：FSB50250A；Motion SPM 5 Series

文件：765.3 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250AB

丝印代码：FSB50250AB；Smart Power Module

文件：1.19319 Mbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250AS

丝印代码：FSB50250AS；Motion SPM 5 Series

文件：718.72 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250AT

丝印代码：FSB50250AT；Motion SPM 5 Series

文件：765.3 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250AT

丝印代码：FSB50250AT；Motion SPM 5 Series

文件：765.3 Kbytes Page：13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250B

丝印代码：FSB50250B；Motion SPM 5 Series

文件：384.17 Kbytes Page：11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250BS

丝印代码：FSB50250BS；Motion SPM 5 Series

文件：384.17 Kbytes Page：11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250AB

智能功率表模块 (SPM®)

FSB50250AB 是一种基于 FRFET 技术的微型智能功率模块 (SPM®)，可为风扇电机和供水系统等小功率电机驱动应用提供紧凑型逆变器解决方案。 它由6个快速恢复MOSFET (FRFET)以及3个用于FRFET门驱动的半桥HVIC组成。 FSB50250AB 具有低电磁干扰 (EMI) 特性以及优化的开关速度。 此外，由于它将FRFET用作功率开关，因此与基于 IGBT 的电源模块或单芯片解决方案相比，其强度更佳、安全操作空间 (SOA) 更大。该封装针对热性能和紧凑性进行了优化，以便在内置电机应用和任何其他需要考虑装配空间的应用中使用。 FSB50250AB 是紧凑型逆变器在能源效 •500 V 时的 RDS(on)= 3.8Ω（最大值）包括高电压集成电路 (HVIC) 的三相 FRFET 逆变器\n•3个分段负直流链路端子，可实现逆变器电流感测应用\n•栅极驱动和欠压保护的HVIC\n•3/5V CMOS/TTL兼容高有效接口\n•针对低电磁干扰进行优化\n•1500 Vrms 每分钟的额定隔离电压\n•HVIC 温度感应\n•封装中的嵌入式自举二极管\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250AS

智能功率模块，500V，2A

FSB50250AS 是先进 Motion SPM® 5 系列产品，基于快速恢复 MOSFET（FRFET®）技术，用作小功率电机驱动应用（如风扇和泵）的紧凑型逆变器解决方案。 FSB50250AS包含六个FRFET MOSFET产品、三个具有温度感测功能的半桥栅极驱动器HVIC及三个自举二极管，在一个紧凑型封装中完全隔离并进行优化，以实现热性能。 FSB50250AS通过优化开关速度和减少寄生电感具有低电磁干扰（EMI）特性。 由于使用MOSFET作为电源开关，FSB50250AS比IGBT功率模块具有强得多的耐用性和更大的安全工作区（SOA）。 FSB50250AS是用于装配空间受到限制的 •500V RDS(on)=3.8Ω(最大值) FRFET® MOSFET 三相逆变器，包括HVIC\n•下桥 MOSFET 的三个独立开放式发射极引脚用于三支路电流感测\n•HVIC可实现栅极驱动和欠压保护\n•高电平有效接口，可用于 3.3V/5V 逻辑电平\n•针对低电磁干扰进行优化\n•1500Vrms/1min 的额定隔离电压。\n•内置于HVIC的温度感测\n•封装中的嵌入式自举二极管\n•湿度敏感等级(MSL) 3\n•符合RoHS标准;

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安森美半导体

FSB50250_07

Smart Power Module (SPM짰)

文件：317.03 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250A

Smart Power Module(SPM짰)

文件：1.37184 Mbytes Page：10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250A

Motion SPM 5 Series Version 2 User?셲 Guide

文件：4.4082 Mbytes Page：28 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250AB

封装/外壳：23-PowerDIP 模块（0.644"，16.35mm） 包装：管件 描述：FET 500V 1.2A 23PWRDIP MOD 分立半导体产品 功率驱动器模块

ONSEMI

安森美半导体

FSB50250AB

Smart Power Module (SPM짰)

文件：1.39104 Mbytes Page：10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250AS

Smart Power Module (SPM짰)

文件：1.33883 Mbytes Page：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250AT

Smart Power Module (SPM )

文件：1.36626 Mbytes Page：10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250S

Smart Power Module (SPM짰)

文件：416.55 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250S

Smart Power Module (SPM)

文件：163.79 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250S

Smart Power Module (SPM)

文件：299.9 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250S_07

Smart Power Module (SPM)

文件：299.9 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250S_0705

Smart Power Module (SPM짰)

文件：416.55 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250UD

Smart Power Module (SPM짰)

文件：868.93 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250US

Smart Power Module (SPM짰)

文件：304.33 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50250UTD

Smart Power Module (SPM짰)

文件：894.79 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

ACE50250BM+

400mA CMOS Low Dropout Voltage Low consumption Regulator

文件：309.37 Kbytes Page：12 Pages

ACE

FSB50250产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Family：

    SPM® 5 Series

  • Type：

    Inverter

  • Substrate：

    Full Package

  • Input Logic：

    Active High

  • Rated Voltage Min (V)：

    500

  • IO @ 25 °C Min (A)：

    1.2

  • RDS(on) (Ω)：

    2.5

  • Emitter Configuration：

    3 source pins

  • Shutdown Pin：

    No

  • Mounting Type：

    DIP

  • Package Type：

    DIP-023

FSB50250供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
FSB50250US
onsemi(安森美)
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SPM-5H-023
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深圳市得捷芯城科技有限公司
FSB50250
onsemi(安森美)
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ONSEMI/安森美全新特价FSB50250即刻询购立享优惠#长期有货
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    2019-10-18

  • FSBM10SH60-SPM的（智能功率模块）

    一般描述 FSBM10SH60是一种先进的智能功率模块（SPM）飞兆半导体新开发的，旨在提供非常紧凑和高性能AC电机驱动器主要针对高速低功率逆变器驱动的应用程序像洗衣机。它结合了优化的电路保护和驱动器匹配低损耗IGBT的。高度有效的短路电流检测/保护实现通过使用先进的IGBT的电流检测芯片，允许对IGBT的连续监测电流。系统的可靠性进一步增强，集成欠压锁定了保障。高高速内置HVIC提供光耦合器无IGBT栅极驱动能力，进一步降低了整体规模逆变器系统设计。此外，成立高压集成电路促进了单电源驱动拓扑利用有利要赶在FSBM10SH60只由一个驱动电源无负偏置电压。逆变器电流检测应用程序

    2013-2-15

  • FSB50250-智能功率模块

    特点 •500伏值2.0A3相FRFET包括高压变频器集成电路（高压集成电路） •3负划分为逆变器直流母线电流检测端子应用 •为栅极驱动的HVIC和欠压保护 •3/5V的CMOS/ TTL兼容，高电平接口 •针对低电磁干扰 •1500Vrms的额定隔离电压为1分钟。 一般描述 FSB50250是一个很小的智能功率模块（SPMTM）的基础上FRFET技术作为紧凑型逆变器解决方案，为小型功率电机，如风扇电机和驱动应

    2013-2-15

  • FSAM10SH60-智能功率模块

    一般描述 FSAM10SH60是一种先进的智能功率模块（SPM）飞兆半导体新开发的，旨在提供非常紧凑，成本低，但高性能交流电动机驱动器主要针对高速低功inverterdriven应用像洗衣机。它结合优化的电路保护和驱动器匹配低损耗IGBT的。高效的短路电流检测/保护是实现通过使用先进的电流感应IGBT芯片，允许连续监测IGBT的电流。系统的可靠性进一步增强，内置过热和集成欠压锁定了保障。高速的内置的HVIC，提供光耦合器无IGBT栅极驱动能力，进一步降低逆变器系统设计的总体尺寸。在此外，成立高压集成电路促进了单电源使用驱动器拓扑是使FSAM10SH60只有一个驱动电源电压驱动不

    2013-2-15

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