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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FS70KMJ-03F | High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : 30 V • rDS(ON) (max) : 8.0 mΩ • ID : 70 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | ||
FS70KMJ-03F | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE ● 4V DRIVE ● VDSS ................................................................................. 30V ● rDS (ON) (MAX) ............................................................. 12mΩ ● ID ............................................................................ | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE ● 4V DRIVE ● VDSS ................................................................................. 30V ● rDS (ON) (MAX) ............................................................. 12mΩ ● ID ............................................................................ | POWEREX Powerex Power Semiconductors | |||
HIGH-SPEED SWITCHING USE 文件:42.51 Kbytes Page:4 Pages | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | |||
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : 30 V • rDS(ON) (max) : 8.0 mΩ • ID : 70 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
FS70KMJ-03F产品属性
- 类型
描述
- 型号
FS70KMJ-03F
- 功能描述
FS70KMJ-03F
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
34 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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VB |
25+ |
TO-220FN |
4000 |
原装正品,假一罚十! |
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RENESAS |
2016+ |
TO-220F |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
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MIT |
23+ |
TO-220F |
5000 |
专做原装正品,假一罚百! |
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VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
TO-220FN |
4006 |
原装现货假一赔十 |
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R |
25+ |
TO-TO-220FN |
35400 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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MITSUBISHI |
24+ |
TO-220F |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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R |
22+ |
TO-220FN |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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RENESAS |
25+23+ |
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34347 |
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2019-4-12FS6X1220-飞兆功率开关(FPS)
说明 该FS6X1220R是专为离线特思数码转换器以最小的外部元件。这设备是一个电流模式PWM控制器,具有高结合在一个封装电压电源值SenseFET。该PWM控制器包括集成固定频率振荡器,行欠压锁定,睡眠/关功能,热关断保护,过电压保护,脉冲的脉冲电流限制和温度补偿精密电流来源一回路补偿。相较于离散MOSFET和PWM控制器解决方案,可以FS6X1220R降低总成本,元件数量,大小和重量,同时提高效率,生产力和系统可靠性。这种器件非常适合于DC至DC转换器输出功率高达40W的应用。 特点 •电流模式PWM控制的固定工作频率(3
2013-3-12FS6S-飞兆功率开关(FPS)
说明 飞兆半导体的功率开关(FPS)产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少外部元件。飞兆半导体的功率开关(FPS)由一个高压电源和电流值SenseFET模式PWM IC。包括功能的PWM控制器集成固定振荡器,欠压锁定,该 优化开启/关闭驱动器门打开,热关闭掉电保护,过电压保护,以及温度补偿精密电流源环路补偿和故障保护电路。相对于分立的MOSFET和控制器或碾压开关转换器解决方案,一飞兆功率开关(FPS)可以降低总的元件数量,缩小设计尺寸,并重量,并在同一时间提高效率,生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台适合具有成本效益的显示器的电源供应。
2013-3-12FS6M07652-飞兆功率开关(FPS)
说明 飞兆半导体的功率开关(FPS)产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少的外部组件。飞兆半导体的功率开关(FPS)的一个组成高压值SenseFET和电流模式PWM IC。包括PWM控制器具有集成固定振荡器,根据电压锁定,前缘消隐的优化的栅极turn-on/turn-off驱动器,热关断保护,过电压保护,温度 补偿精密电流源的循环补偿和故障保护电路。相比分立MOSFET和控制器或碾压混凝土开关转换器解决方案,一飞兆功率开关(FPS)可降低总元件数量,缩小设计尺寸和重量和同时提高效率,生产力和系统可靠性。它有一个基本的平台,以及适合的成本有效的液晶显示器电源。
2013-3-12
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