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FS30KMJ-2-A8

High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS: 100 V • rDS(ON) (max): 84 mΩ • ID: 30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 80 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

RENESAS

瑞萨

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –100 V • rDS(ON) (max) : 0.143 Ω • ID : –30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns • Viso : 2000 V

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瑞萨

更新时间:2025-9-25 20:00:00
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