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FQPF12N65C

N-ChannelMOSFET

■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67Ω(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe

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浩海电子深圳市浩海电子有限公司

HAOHAI

650VN-ChannelPowerMOSFET

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迪一电子山东迪一电子科技有限公司

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更新时间:2025-8-3 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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