位置：首页 > IC中文资料第1191页 > FQP5N50C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQP5N50C | 500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
FQP5N50C | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
500VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：177.34 Kbytes Page：6 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.07716 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
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FQP5N50C产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQP5N50C
- 功能描述
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
22+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
TO220 |
23+ |
6000 |
原装现货有上库存就有货全网最低假一赔万 |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
27500 |
原装正品,价格最低! |
|||
FAIRCHILD |
1932+ |
TO-220 |
255 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FSC |
24+ |
TO-220 |
5000 |
进口原装现货 |
|||
FSC |
2023+ |
TO-220 |
50000 |
原装现货 |
|||
FSC |
2025+ |
TO-220 |
3715 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
FAIRCHIL |
23+ |
TO-220 |
8600 |
全新原装现货 |
|||
Fairchild |
23+ |
TO-220 |
9526 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
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- FQP7N10
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- FQP6N80
- FQP6N70
- FQP6N60
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