位置：首页 > IC中文资料第1191页 > FQP5N50C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQP5N50C | 500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with | Fairchild 仙童半导体 |   | |
FQP5N50C | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.4Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | |
FQP5N50C | 500V N-Channel MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | |
500V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：177.34 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.07716 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：201.77 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：2.93481 Mbytes Page：8 Pages | SUNMATE 森美特 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：291.11 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
FQP5N50C产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQP5N50C
- 功能描述
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3300 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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FQP5N50C规格书下载地址
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