位置：首页 > IC中文资料第3460页 > FQP20N06TSTU
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQP20N06TSTU | N-Channel QFET MOSFET 60 V, 20 A, 60 m 文件：721.8 Kbytes Page：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 |   | |
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired | UMW 友台半导体 | | ||
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology | EVVOSEMI 翊欧 | | ||
Fast Switching 文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages | CHONGQING 平伟实业 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
FQP20N06TSTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQP20N06TSTU
- 功能描述
MOSFET 60V N-Channel QFET Short Leads
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3600 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
FAIRCHILD |
1922+ |
TO-220 |
274 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
1650 |
原装正品,假一罚十! |
|||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
FAIRCHI |
25+23+ |
TO-220 |
24610 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
仙童 |
06+ |
TO-220 |
5000 |
原装库存 |
|||
FAIRCHI |
23+ |
TO-220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
FSC |
2015+ |
TO220 |
19898 |
专业代理原装现货,特价热卖! |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
FQP20N06TSTU规格书下载地址
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2019-11-8
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