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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired | UMW 友台半导体 |   | ||
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology | EVVOSEMI 翊欧 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Fast Switching 文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages | CHONGQING 平伟实业 | |
FQP20N06_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQP20N06_Q
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
24+ |
NA/ |
3400 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
AOS |
13+ |
TO-252 |
155 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
45000 |
FAIRCHILD/仙童全新现货20N06即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
UMW/广东友台半导体 |
2450+ |
TO-252-2 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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UMW 友台 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
原装正品，实单请联系 |
|||
ON |
23+ |
TO252 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
ON |
24+ |
TO252 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
INFINEON |
25+ |
SOT-252 |
6500 |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
SOT252 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
FQP20N06_Q规格书下载地址
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