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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 |  |   | |
60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription The20N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体 |  | | |
N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
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20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET 文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages | CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 |  | |
FQP20N06_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQP20N06_Q
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
24+ |
NA/ |
3400 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
AOS |
13+ |
TO-252 |
155 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
AOS |
20+ |
TO-252 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
TECH PUBLIC(台舟) |
2024+ |
TO-252 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
|||
ON |
24+ |
TO252 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
VISHAY |
21+ |
TO-252 |
2500 |
原装现货假一赔十 |
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VB |
2024 |
TO-252251 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
|||
FAIRCHILD |
2023+ |
TO-252 |
58000 |
进口原装,现货热卖 |
|||
SOT252 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
ON |
23+ |
TO252 |
9680 |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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2019-11-8
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