位置：首页 > IC中文资料第4122页 > FQP19N20CTSTU
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
200VN-ChannelMOSFET
| FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
200VN-ChannelMOSFET-M 文件：5.07505 Mbytes Page：10 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 |  | | |
200VN-ChannelMOSFET-T 文件：2.3194 Mbytes Page：8 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 | | |
FQP19N20CTSTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQP19N20CTSTU
- 功能描述
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
QFET™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRC |
2020+ |
TO-3P |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
FSC |
21+ |
TO-3P |
300 |
原装现货假一赔十 |
|||
FSC |
04+ |
TO-3P |
300 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO3P |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2250 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
|||
FSC |
04+ |
TO-3P |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-247TO-3PTO-3PF |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2022 |
TO-3P |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
FAI |
23+ |
TO-3P |
5500 |
现货,全新原装 |
|||
FAIRCHILD |
08+(pbfree) |
TO-247TO-3PTO-3PF |
8866 |
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2019-4-15
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