位置:首页 > IC中文资料第4122页 > FQP19N20C_Q
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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200VN-ChannelMOSFET
| FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件:299.49 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
200VN-ChannelMOSFET-M 文件:5.07505 Mbytes Page:10 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 | |||
200VN-ChannelMOSFET-T 文件:2.3194 Mbytes Page:8 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 |
FQP19N20C_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQP19N20C_Q
- 功能描述
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA/ |
488 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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FSC |
04+ |
TO-3P |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2250 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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仙童 |
05+ |
TO-247 |
2000 |
原装进口 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO3P |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-247TO-3PTO-3PF |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO |
16000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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FAIRCHILD |
TO-3P |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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FAI |
23+ |
TO-3P |
5500 |
现货,全新原装 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-247TO-3PTO-3PF |
8866 |
FQP19N20C_Q规格书下载地址
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