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位置：首页 > IC中文资料第2414页 > FQP13N06L_Q

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
13N06L

60VLOGICN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FQB13N06

60VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FQB13N06L

60VLOGICN-ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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FQD13N06

60VN-ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FQD13N06

N-ChannelQFETMOSFET60V,10A,140m

文件：803.8 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FQP13N06L_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQP13N06L_Q

  • 功能描述

    MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

FQP13N06L_Q供应商更多...

更新时间：2024-6-25 8:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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FQB13N06L
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