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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications | UTC 友顺 |   | ||
Avalanche Energy Specified DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET 文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | |
FQD6N60CTM_WS产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQD6N60CTM_WS
- 功能描述
MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-220F |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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F |
25+ |
TOP220 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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TO-220 |
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INMET |
23+ |
N(MF) |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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24+ |
TO-220 |
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一级代理商进口原装现货、价格合理 |
FQD6N60CTM_WS规格书下载地址
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可立即发货
2019-9-24FQD7P20TM
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2019-8-29
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