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N-Channel Enhancement MOSFET

Features  VDS=100V, ID=3A  RDS(ON)

GWSEMI

唯圣电子

文件:273.854 Kbytes Page:6 Pages

JJW

捷捷微

PDF上传者:深圳市溢航科技有限公司

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.43704 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:3.18825 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:2.70066 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

更新时间:2025-8-12 11:34:01
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