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FQB9N50CFTM_WS

500VN-ChannelMOSFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

500VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FastSwitchingSpeed

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

9A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:180.33 Kbytes Page:6 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:1.10594 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

9A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

文件:765.68 Kbytes Page:5 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE

FQB9N50CFTM_WS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQB9N50CFTM_WS

  • 功能描述

    MOSFET 500V 9A N-CH

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-31 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
ON/安森美
21+
TO-263-3
8080
只做原装,质量保证
FAIRCHI
2016+
TO-263
6528
房间原装进口现货假一赔十
ON/安森美
24+
TO-263-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
Fairchild仙童
22+
D2PAK
25000
只做原装进口现货,专注配单
FAIRCHILD
08+
TO-263
4381
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
Fairchild/ON
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
FAIRCHILD/仙童
22+
TO263
12245
现货,原厂原装假一罚十!

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