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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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FQB60N03LTM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQB60N03LTM

  • 功能描述

    MOSFET 30V N-Ch Logic Level

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 12:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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