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2.5 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 3N80provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=3.8Ω@VGS=10 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 19 nC ) * Low Reverse Transfer

UTC

友顺

3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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N-Channel Power MOSFET

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NELLSEMI

尼尔半导体

Fast Switching

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ISC

无锡固电

3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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FQB3N80TM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQB3N80TM

  • 功能描述

    MOSFET 800V N-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC/CS
24+
NA/
115240
原装现货,当天可交货,原型号开票
士兰微
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