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200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

200VN-ChannelMOSFET-M

文件:5.07505 Mbytes Page:10 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER

200VN-ChannelMOSFET-T

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FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER
更新时间:2025-6-12 15:56:01
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