FQB19N20LTM价格

参考价格:¥3.5324

型号:FQB19N20LTM 品牌:Fairchild 备注:这里有FQB19N20LTM多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FQB19N20LTM批发/采购报价,FQB19N20LTM行情走势销售排行榜,FQB19N20LTM报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQB19N20LTM

N-Channel QFET짰 MOSFET 200 V, 21 A, 140 m廓

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av

Fairchild

仙童半导体

200V N-Channel MOSFET

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:299.49 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

200V N-Channel MOSFET-M

文件:5.07505 Mbytes Page:10 Pages

FOSTER

福斯特半导体

200V N-Channel MOSFET-T

文件:2.3194 Mbytes Page:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FQB19N20LTM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQB19N20LTM

  • 功能描述

    MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 16:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原装
25+23+
TO-263
17299
绝对原装正品全新进口深圳现货
Fairchild
24+
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7500
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
FAIRCHILD
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ON(安森美)
25+
D2-PAK-3
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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