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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -100V, -7A, RDS(ON) = 270mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -100V, -7A, RDS(ON) = 270mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2025-8-5 15:37:01
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