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N-ChannelQFET®MOSFET900V,8.6A,1.3Ω

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceand highaval

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-6-21 18:34:01
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