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FQA9N90-F109

N-ChannelQFET®MOSFET900V,8.6A,1.3Ω

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceand highaval

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-6-18 12:00:00
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