型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FQA35N40

400VN-ChannelMOSFET

Features •35A,400V,RDS(on)=0.105Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical110nC) •LowCrss(typical65pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FQA35N40

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.105Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.105Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DACO

DACO

DACO

400VN-ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FQA35N40产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQA35N40

  • 功能描述

    MOSFET 400V N-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-30 8:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-247TO-3PTO-3PF
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
FAIRCHILD
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TO-3P
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绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
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国产品牌isc,可替代原装
FAIRCHILD
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TO-3P
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公司特价原装现货
FAIRCHILD
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TO-3P
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全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
FAIRCHILD/仙童
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NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
onsemi(安森美)
23+
TO-3P
8110
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
FAIRCH
1948+
TO-3P
18562
只做原装正品现货!或订货假一赔十!

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