型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQA35N40

400V N-Channel MOSFET

Features • 35A, 400V, RDS(on) = 0.105 Ω @ VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 110 nC) • Low Crss ( typical 65 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA35N40

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.105Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

FQA35N40

400V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.105Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:240.23 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

400V N-Channel MOSFET

文件:699.28 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQA35N40产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQA35N40

  • 功能描述

    MOSFET 400V N-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-27 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
15638
原装现货,当天可交货,原型号开票
三年内
1983
只做原装正品
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-3P
71
原装正品,假一罚十!
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
597
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
FSC
25+23+
TO-3P
37421
绝对原装正品全新进口深圳现货
onsemi(安森美)
24+
TO-3P
8110
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
Fairchild/ON
22+
TO3P3 SC653
9000
原厂渠道,现货配单
FSC
24+
TO-3P
35200
一级代理分销/放心采购
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

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