位置:首页 > IC中文资料第4364页 > FPN660A

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FPN660A

PNP Low Saturation Transistor

PNP Low Saturation Transistor • These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0A continuous. • Sourced from process PA.

FAIRCHILD

仙童半导体

FPN660A

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 包装:散装 描述:TRANS PNP 60V 3A TO226 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:散装 描述:TRANS PNP 60V 3A TO226 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

SWITCHMODE??Power Rectifirers DPAK Surface Mount Package

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 6 AMPERES 20 TO 60 VOLTS . . . in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes, these state–of–the–art devices have the following features: • Extremely Fast Switching • Extremely Low Forward Drop • Platinum Barrier with Avalanche Guardrings • Gua

MOTOROLA

摩托罗拉

CMOS Quad Operational Amplifier

文件:461.8 Kbytes Page:14 Pages

NSC

国半

CMOS Quad Operational Amplifier

文件:461.8 Kbytes Page:14 Pages

NSC

国半

CMOS Quad Operational Amplifier

文件:461.8 Kbytes Page:14 Pages

NSC

国半

Low Power CMOS Quad Operational Amplifier

文件:603.86 Kbytes Page:17 Pages

NSC

国半

FPN660A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FPN660A

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-7-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
TO-226
22360
样件支持,可原厂排单订货!
onsemi
25+
TO-226
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
FSC/ON
26+
原包装原封 □□
16565
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
FAIRCHILD
25+
SOT-23
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
仙童
24+
TO-92L
2000
ON
23+
SOT-23
3689
专注配单,只做原装进口现货
FAIRCHILD
1215+
TO-92L
150000
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.

FPN660A数据表相关新闻