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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FP100R12KT4_B11 | EconoPIM3 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC Electrical Features • Low Switching Losses • Tvj op = 150°C • VCEsat with positive Temperature Coefficient • Low VCEsat Mechanical Features • High Power and Thermal Cycling Capability • Integrated NTC temperature sensor • Copper Base Plate • PressFIT Contact Technology • Standard Housing | Infineon 英飞凌 |   | |
FP100R12KT4_B11 | EconoPIM3 Modul mit schnellem Trench 文件：874.39 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
EconoPIM3 Modul mit schnellem Trench 文件：874.39 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode 文件：299.26 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | |
FP100R12KT4_B11产品属性
- 类型
描述
- 型号
FP100R12KT4_B11
- 功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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N/A |
47000 |
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MODULE |
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MODULE |
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