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标准封装

STSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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SEI

Stackpole Electronics Inc.

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SEI

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Stanley

Stanley Electric Co

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Stanley

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标准封装

STEL

上通電子股份有限公司

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STEL

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STETCO

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标准封装

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Subaru Tecnica International

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MEDERStandex-Meder Electronics

斯丹麦德电子

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MEDER

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STANFORDStanford Microdevices

Stanford Microdevices

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STANFORD
更新时间:2024-5-27 18:44:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
标准封装
18000
Schurter
23+
SMD
6680
全新原装优势
一级代理
23+
N/A
58300
一级代理放心采购
SCHAFFNER
2018+
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标准封装
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  • FN9274B-1-07

    FN9274B-1-07

    2021-8-5
  • FN9262/FN9266系列高性能IECC14PEM带有保险丝座或开关FN9262-1-06

    SchaffnerFN926x系列RFI滤波器配备IECC14电源输入模块(PEM),该模块具有集成的保险丝座或开关

    2019-10-21
  • FN4819-同步整流降压MOSFET驱动器

    同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率,双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V,而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP

    2013-3-4
  • FN9028-InfiniBand的+12 V的体积和+5 V辅助电源控制器

    该ISL6160是设计独特的电源解决要求的InfiniBand(IB)的行业倡议同时提供了VB(散装)独立的电源控制(+12V)和弗吉尼亚州(辅助)(+5V)功率轨单一端口。该装置可以实现在两个兴业I类(非隔离)和二级(隔离)电源拓扑结构的应用程序。该ISL6160,以及一个N沟道功率MOSFET和被动元件数量最少提供软双方的VB和弗吉尼亚州的一个IB电压斜坡起动模块。它还提供了准确和一致的电流一段时间内决定之前稳压输出闭锁中的过流(OC)存在的条件下关闭。此外,ISL6160提供使能信号的关于模块的DC-DC转换器无论是在模块插入到从底盘或唤醒事件请求。特

    2013-2-15
  • FN4871-多与ACPI控制接口线性电源控制器

    该HIP6502B补充或者anHIP6020或在微处理器ACPI兼容设计HIP6021和计算机应用。该IC集成了四个线性控制器/调节器,开关,监测和控制功能到一个20引脚SOIC封装。一个线性控制器产生的电压从ATX3.3VDUAL/3.3VSB飞机电源供应器的5VSB输出,供电和南桥通过在睡眠外部晶体管的PCI插槽状态(S3,S4/S5)。第二个晶体管用于开关ATX3.3V输出的操作过程中S0和S1/S2(活动)的运行状态。两个线性控制器/稳压器在选择供应一方或双方的计算机系统的2.5V或3.3V电源通过外部存储器传递晶体管在活跃状态。在睡眠状态,综合通过晶

    2013-1-29
  • FN9012-微处理器核心电压调节器两相降压PWM控制器

    ISL6562两个三相电流模式,PWM控制IC与同伴栅极驱动器,HIP6601A一起,HIP6602A,HIP6603A或HIP6604和MOSFET提供了一个先进的精密电压调节系统微处理器。两相电源转换是一个标记早期的单相转换器配置的背离以前,以满足日益增加的电流现代微处理器的需求。多相位转换器,负载分配权力和目前的结果用较少的投入和规模较小,成本更低的晶体管输出电容器。这些削减,从更高的累积有效的转换频率,更高频率的纹波目前由于相交错的过程本拓扑结构。例如,一个两阶段的转换器的工作在每相为350kHz,将有一个700kHz纹波频率。此外,这种设计的结果转换器带宽更快的响应负载瞬变。该控制器

    2012-12-2