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FMS2301A

P-ChannelSMDMOSFET

Features •Suffix-HindicatesHalogen-freepart,ex.FMS2301A-H. •RDS(ON)≦75mΩ@VGS=-4.5V •RDS(ON)≦95mΩ@VGS=-2.5V •SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives. •Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrentcapabilit

FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA

1.5Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz

GENERALDESCRIPTION The2301isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding1.5WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealed

GHZTECHGHz Technology

GHz Technology

GHZTECH

SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS

文件:5.03147 Mbytes Page:5 Pages

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ

-2.8A竊?20VP-CHANNELMOSFET

文件:111.41 Kbytes Page:4 Pages

KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

10VP-ChannelEnhancedMOSFET

文件:171.02 Kbytes Page:3 Pages

FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.

富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

9VPchannelenhancedMOSFET

文件:194.72 Kbytes Page:3 Pages

FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.

富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司

FUMAN
更新时间:2024-5-28 17:02:00
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