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FMP60N125S2HF

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 30.1A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 125mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switching

ISC

无锡固电

FMP60N125S2HF

N-Channel enhancement mode power MOSFET

Fuji

富士通

更新时间:2025-10-27 19:15:00
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